氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，远远大于氮化镓（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁带宽度。在功率半导体方面，氧化镓的击穿电场强度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化镓的击穿电场强度可达8MV/cm。由于氧化镓在诸多领域的重要应用价值,氧化镓材料和器件的研究与应用，已成为当前研究与开发的热点和重点。为此，我们提供2英寸Ga2O3外延片和2英寸的Ga2O3单晶衬底。
主要参数指标：
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外延层
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参数指标
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掺杂剂
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Si (n-型)
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掺杂浓度
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可指定在2x1016 和9x1016 cm-3之间
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外延层厚度
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指定在5和10μm之间
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外延片衬底
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参数指标
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掺杂剂
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Sn (n-型)
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掺杂浓度
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1~9x1018 cm-3
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晶面
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(001)
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尺寸
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Φ2 英寸
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厚度
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0.65 mm
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XRD FWHM
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≦350 arcsec
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偏离角度
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0°±1°
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